宣布时候:2019-12-17
为(wei)有用(yong)晋(jin)升(sheng)产(chan)(chan)物(wu)(wu)良(liang)率(lv)，晋(jin)升(sheng)企业合作力(li)，海太(tai)半导(dao)体(ti)从两方面动手尽力(li)晋(jin)升(sheng)三(san)代DDR4出产(chan)(chan)物(wu)(wu)质。一是改(gai)良(liang)测(ce)试(shi)头打(da)仗(zhang)范例，将PIN针型变革为(wei)片式(shi)插(cha)槽(cao)型，有用(yong)防(fang)止测(ce)试(shi)基(ji)板(ban)测(ce)试(shi)头PIN针的反复(fu)破坏(huai)，保障(zhang)产(chan)(chan)物(wu)(wu)收率(lv)。二(er)是改(gai)良(liang)单个单品测(ce)试(shi)点位托板(ban)布(bu)局，经由过(guo)程减薄测(ce)试(shi)点位托板(ban)，使产(chan)(chan)物(wu)(wu)锡球充实(shi)打(da)仗(zhang)测(ce)试(shi)，从而晋(jin)升(sheng)早期测(ce)试(shi)产(chan)(chan)物(wu)(wu)辨认率(lv)，终究(jiu)晋(jin)升(sheng)产(chan)(chan)物(wu)(wu)收率(lv)。经由过(guo)程以(yi)上行动，海太(tai)半导(dao)体(ti)DDR4产(chan)(chan)物(wu)(wu)良(liang)率(lv)已(yi)从96%晋(jin)升(sheng)至97.69%。
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