宣布时候:2019-12-17
为有用(yong)晋(jin)(jin)升(sheng)(sheng)产(chan)物良(liang)(liang)率(lv)(lv)，晋(jin)(jin)升(sheng)(sheng)企(qi)业(ye)合作力，海太(tai)(tai)半导体从两方面动(dong)手尽力晋(jin)(jin)升(sheng)(sheng)三代DDR4出(chu)产(chan)物质。一是改(gai)良(liang)(liang)测(ce)试(shi)头打(da)(da)仗范例，将PIN针(zhen)(zhen)型变革为片式插槽型，有用(yong)防止测(ce)试(shi)基(ji)板(ban)测(ce)试(shi)头PIN针(zhen)(zhen)的反复破坏，保障产(chan)物收率(lv)(lv)。二是改(gai)良(liang)(liang)单个(ge)单品测(ce)试(shi)点(dian)位(wei)托板(ban)布局，经(jing)(jing)由过(guo)(guo)程(cheng)减(jian)薄测(ce)试(shi)点(dian)位(wei)托板(ban)，使产(chan)物锡球(qiu)充实打(da)(da)仗测(ce)试(shi)，从而晋(jin)(jin)升(sheng)(sheng)早期测(ce)试(shi)产(chan)物辨认率(lv)(lv)，终究晋(jin)(jin)升(sheng)(sheng)产(chan)物收率(lv)(lv)。经(jing)(jing)由过(guo)(guo)程(cheng)以上行动(dong)，海太(tai)(tai)半导体DDR4产(chan)物良(liang)(liang)率(lv)(lv)已从96%晋(jin)(jin)升(sheng)(sheng)至97.69%。
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